La recherche mondiale sur le marché des dispositifs d’alimentation à large bande interdite (WBG) 2022 offre des informations précieuses sur les dernières tendances, la demande croissante dans chaque région, la mise à jour des principaux acteurs clés avec une portée régionale et la croissance des revenus. Le rapport sur le marché des dispositifs d’alimentation à large bande interdite (WBG) couvre les principales stratégies importantes, les développements commerciaux, l’analyse du paysage concurrentiel et les défis commerciaux au cours de la période de prévision. Le rapport évalue divers segments et sous-segments de l’industrie, notamment les types d’industrie, les applications et les régions.
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Les dispositifs de puissance à large bande interdite (WBG) font référence à une classe de matériaux et de dispositifs semi-conducteurs qui ont une bande interdite plus large que les dispositifs d’alimentation traditionnels à base de silicium. Ces matériaux comprennent le carbure de silicium (SiC) et le nitrure de gallium (GaN). Les dispositifs d’alimentation WBG présentent plusieurs avantages par rapport aux dispositifs d’alimentation en silicium traditionnels, notamment des tensions et des températures nominales plus élevées, des vitesses de commutation plus rapides et des pertes plus faibles. Ces caractéristiques rendent les dispositifs d’alimentation WBG bien adaptés à une utilisation dans des applications haute puissance et haute fréquence, telles que les onduleurs de puissance pour véhicules électriques et les systèmes d’énergie renouvelable, ainsi que dans les systèmes de conversion de puissance haute fréquence.
Principaux acteurs mentionnés dans le rapport d’étude de marché mondial sur les dispositifs d’alimentation à large bande interdite (WBG):
Infineon, Rohm, Mitsubishi, STMicro, Fuji, Toshiba, Microsemi, United Silicon Carbide Inc., GeneSic, Efficient Power Conversion (EPC), GaN Systems, VisIC Technologies LTD, Transphorm.
Développement récent du dispositif d’alimentation à large bande interdite (WBG)
Les dispositifs de puissance à large bande interdite (WBG) ont été un domaine de recherche et de développement en croissance rapide dans l’industrie de l’électronique de puissance. Ces dispositifs, qui comprennent des transistors et des diodes de puissance en carbure de silicium (SiC) et en nitrure de gallium (GaN), offrent plusieurs avantages par rapport aux dispositifs d’alimentation traditionnels en silicium, notamment :
- Tensions et températures nominales plus élevées : les appareils WBG peuvent gérer des niveaux de tension et de température plus élevés que les appareils traditionnels en silicium, ce qui les rend plus adaptés aux applications haute puissance et haute température.
- Vitesses de commutation plus élevées : les appareils WBG peuvent s’allumer et s’éteindre plus rapidement que les appareils en silicium, ce qui peut améliorer l’efficacité et réduire les pertes de puissance.
- Résistance inférieure : les dispositifs WBG ont une résistance inférieure à celle des dispositifs en silicium, ce qui réduit la perte de puissance et améliore l’efficacité.
Les développements récents dans le domaine des dispositifs électriques du Groupe de la Banque mondiale sont les suivants :
- MOSFET SiC : Les MOSFET SiC sont de plus en plus populaires dans les applications de haute puissance, telles que les véhicules électriques et les systèmes d’énergie renouvelable. De nombreuses entreprises, telles que Cree et Infineon, ont développé des MOSFET SiC avec des tensions nominales allant jusqu’à 1700 V et des puissances de courant allant jusqu’à 600 A.
- HEMT GaN : Les HEMT GaN (transistors à haute mobilité des électrons) sont de plus en plus populaires dans les applications haute fréquence, telles que le transfert de puissance sans fil et les amplificateurs RF. Des sociétés telles que EPC et Transphorm ont développé des HEMT GaN avec des tensions nominales allant jusqu’à 600 V et des puissances de courant allant jusqu’à 150 A.
- Diodes SiC Schottky : Les diodes SiC Schottky sont de plus en plus populaires dans les applications de haute puissance, telles que les onduleurs solaires et les véhicules électriques. Des entreprises telles que CREE et Rohm ont développé des diodes Schottky SiC avec des tensions nominales allant jusqu’à 1700 V et des puissances de courant jusqu’à 150 A.
Dans l’ensemble, les dispositifs d’alimentation WBG sont de plus en plus populaires dans un large éventail d’applications en raison de leurs performances et de leur efficacité améliorées par rapport aux dispositifs d’alimentation traditionnels en silicium.
Segmentation du marché mondial des dispositifs d’alimentation à large bande interdite (WBG):
Segmentation du marché : par type
Dispositifs d’alimentation GaN, dispositifs d’alimentation SiC
Segmentation du marché : par application
Électronique grand public, Automobile et transport, Utilisation industrielle, Autres
Segment géographique couvert dans le rapport :
➢ Amérique du Nord (États-Unis, Canada et Mexique)
➢ Europe (Allemagne, France, Royaume-Uni et reste de l’Europe)
➢ Asie-Pacifique (Japon, Corée, Inde, Asie du Sud-Est et Australie)
➢ Amérique du Sud (Brésil, Argentine et reste de l’Amérique du Sud)
➢ Moyen-Orient et Afrique (Arabie saoudite, Émirats arabes unis, Égypte et reste du Moyen-Orient et de l’Afrique)
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